У пристроях на цифрових мікросхемах та мікропроцесори з автономним живленням батареї гальванічних елементів повинні забезпечити стабілізованої напруга 5 В. досягти цього найпростішим способом - використанням шести елементів по 1,5 В і інтегрального стабілізатора КР142ЕН5А - невигідно як енергетично, так і економічно. Пропонується нескладний стабілізований перетворювач, що дозволяє отримати напруга 5 В при струмі навантаження до 120 мА. Його вхідне напруга може знаходитися в межах 2 ... 3,5 В (два гальванічних елементи). ККД при вхідній напрузі 3 В і максимальному струмі навантаження - приблизно 75%.

Схема перетворювача показана на малюнку. На транзисторі VT2 зібраний блокінг-генератор. Обмотка I трансформатора Т1 виконує також функцію накопичувального дроселя, а з обмотки II на базу транзистора VT2 надходить сигнал позитивної зворотнього зв'язку. Імпульси, що виникають на колекторі цього транзистора, через діод VD1 заряджають конденсатори С4, С5, напруга на яких і є вихідним. Воно залежить від частоти повторення і скважності імпульсів блокінггенератора, які, в свою чергу, залежать від колекторного струму транзісTopa VT1, перезаряжающего конденсатор СЗ в інтервалах між імпульсами.

Після того, як на блокінг-генератор подано напругу живлення, по мірі зарядки конденсатора С2 через резистор R1 збільшуються колекторних струм транзистора VT1, частота генерованих імпульсів і вихідна напруга перетворювача. Але як тільки останнім перевищить суму напружень стабілізації стабілітрона VD2 і відкривання транзистора VT3, частина струму, що протікає через резистор R1 і базу транзистора VT1, ответвітся в колекторних ланцюг відкрився транзистора VT3. Це призведе до зменшення частоти імпульсів. Таким чином вихідна напруга буде стабілізоване. Подстроечний резистор R3 дозволяє встановити його рівним 5 В.

Транзистор VT2 - КТ819 з будь-яким літерним індексом, КТ805А або КТ817 також з будь-яким індексом. В останньому випадку вихідна потужність перетворювача буде трохи менше. ККД пристрою підвищиться, якщо в якості VD1 застосувати германіевий діодД310. Трансформатор виготовлений з дроселя ДПМ-1, 0 індуктивності 51 мкГн. Наявна на ньому обмотка використана в якості первинної.

Поверх неї намотана обмотка зворотнього зв'язку (II) з 14 витків дроту діаметром 0,31 мм у емалеві ізоляції. Конденсатор СЗ повинен бути металлопленочним серій К71-К78. Керамический конденсатор тут нежелателен з-за низької температурної стабільності ємності. До типами інших деталей пристрій некритично.

Перетворювач змонтований на платі із двостороннього фольгірованного стеклотекстоліта. Фольга на одній зі сторін плати залишена недоторканою і служить загальним проводом. Кілька зразків, зібраних автором, не потребували ніякого налагодження, крім точної установки вихідної напруги.